Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (1) | Реферативна база даних (9) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Тузяк О$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 8 Представлено документи з 1 до 8 |
|||
| 1. | 
Кусьнеж В. В. Масив наночастинок золота на напівпровідникових плівках CDS: одержання морфологія та оптичні властивості [Електронний ресурс] / В. В. Кусьнеж, Р. Ю. Петрусь, Г. А. Ільчук, О. І. Тузяк, І. Р. Зачек, В. М. Родич // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 2. - С. 02023(4). - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_2_25 Розглянуто можливість створення масиву наночастинок Au на напівпровідникових плівках CdS термічним відпалюванням (673 K, 60 хв) у вакуумі (1,3 Па) плівок золота товщиною 6 нм. Досліджено морфологію поверхні плівок CdS, покритих масивом наночастинок золота, та визначено середні розміри наночастинок. Одержано спектри поглинання та пропускання зразків у видимій області, визначено довжини хвилі плазмонного резонансу. Встановлено вплив масиву наночастинок золота на ширину забороненої зони плівок CdS. | ||
| 2. | 
Галій П. В. Вплив областей просторового заряду на релаксаційну емісію електронів опромінених електричних поверхонь [Електронний ресурс] / П. В. Галій, О. Я. Тузяк, О. П. Поплавський, О. В. Цвєткова // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 1. - С. 38-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_1_6 На базі теоретично розрахованих характеристик енергетичних спектрів народжених екзоелектронів у широкозонних кристалах CsI за допомогою методу Монте-Карло досліджено вплив областей просторового заряду та електрон-фононних взаємодій на транспорт до поверхні та вихід у вакуум низькоенергетичних екзоелектронів. Застосовуючи комп'ютерне моделювання процесів розсіяння на LO-фононах за присутності однорідного електричного прискорювального поля, одержано модельні енергетичні спектри екзоелектронів, що досягли поверхні, як межі розділу. Спектри демонструють, що енергії, набуті екзоелектронами за їх дрейфового руху у приповерхневому шарі і які досягли поверхні, можуть бути достатні для подолання ними поверхневого енергетичного бар'єру та виходу з кристала (екзоемісії). | ||
| 3. |
Ільчук Г. А. Вплив умов відпалу на оптичні властивості плівок кадмію сульфіду [Електронний ресурс] / Г. А. Ільчук, В. В. Кусьнеж, Р. Ю. Петрусь, О. Я. Тузяк, П. Й. Шаповал, С. В. Токарев, І. Т. Когут // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 4. - С. 908-912. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_4_14 Досліджено вплив атмосфери термічного відпалу на оптичні властивості плівок CdS товщиною 50 і 90 нм, нанесених за допомогою методу хімічного поверхневого осадження. Проаналізовано спектральні залежності коефіцієнтів пропускання та поглинання плівок, відпалених за 400 за Цельсієм протягом 60 хв у Ar | ||
| 4. |
Галій П. В. Растрова електронна та атомно-силова мікроскопії радіолізу поверхонь плівок CsI при високоінтенсивному електрон¬ному опроміненні [Електронний ресурс] / П. В. Галій, Т. М. Ненчук, О. П. Поплавський, О. Я. Тузяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 3. - С. 827-835. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_3_48 Наведено результати дослідження за допомогою методів растрової електронної та атомно-силової (АСМ) мікроскопій закономірностей процесів деструкції, дефектоутворення та радіолізу поверхні плівок СsI у процесі опромінення електронами середніх енергій у широкому діапазоні потужностей і доз опромінення. Оцінено потужності та дози опромінення, за яких відбувається поява фазових наноутворень і нано- та мікропор на поверхні CsI, що одержано вперше за допомогою методу АСМ на нанорівні. Встановлено дози електронного опромінення, за яких має місце радіоліз поверхні плівок CsI з "виділенням" нано- та мікрофаз і формування наноутворень на них. | ||
| 5. |
Ільчук Г. А. Одержання та оптичні властивості масивів наночастинок золота на скляних підкладках [Електронний ресурс] / Г. А. Ільчук, В. В. Кусьнеж, Р. Ю. Петрусь, С. В. Токарев, О. Я. Тузяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 4. - С. 943-946. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_4_18 Одержано масиви наночастинок золота на скляних підкладках за допомогою методу термічного відпалу (400 градусів за Цельсієм, 60 і 120 хв) у вакуумі (P | ||
| 6. |
Галій П. В. Динаміка зміни стехіометрії поверхні кристалів CsI під впливом концентрованих потоків енергії: роль теплових та електронних збуджень [Електронний ресурс] / П. В. Галій, О. Я. Тузяк, О. В. Цветкова, І. Р. Яровець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 3. - С. 519-526. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_3_12 Проведено дослідження динаміки зміни стехіометрії поверхні кристалів CsI і KCl під впливом електронного та опромінення неодимовим ІЧ-лазером. Встановлено, що за низьких температур опромінюваних поверхонь зміна стехіометрії поверхні CsI і KCl визначається переважно електронними механізмами розпилення галогену, й обидві поверхні збагачуються металічною компонентою. Якщо на поверхні кристалів досягаються температури, близькі до температур плавлення, зміна стехіометрії визначається швидкостями дифузії до поверхні та випаровування компонент, тоді поверхня CsI збагачується галогеном, а KCl - металом. Вказані процеси носять квазіперіодичний характер залежно від флюенса та дози опромінення. | ||
| 7. | 
Тузяк О. Я. Загасання механоекзо-електронної емісії з поверхонь сколювання номінально чистих та леґованих кристалів калій хлориду [Електронний ресурс] / О. Я. Тузяк, М. І. Лосик, М. С. Каркульовська, П. В. Галій // Вісник Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника. Серія : Хімія. - 2015. - Вип. 19. - С. 24-31. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vpnu_chem_2015_19_6 | ||
| 8. | 
Григор'єв О. Ю. Планування витрат на забезпечення якісних параметрів продукції підприємства в умовах зовнішньоекономічної діяльностІ [Електронний ресурс] / О. Ю. Григор'єв, О. А. Тузяк // Management and entrepreneurship in Ukraine: the stages of formation and problems of development. - 2022. - Vol. 4, numb. 2. - С. 201-209. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/meu_2022_4_2_25 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |